12月31日，应我校物理学院邀请，山东大学物微电子学院教授杨再兴应邀为我校师生作题为“锑化物低维结构与光电器件”线上学术报告，物理学院相关师生参加了报告会。
锑化镓（GaSb）具有III-V族半导体中最高的空穴迁移率（1000 cm2V-1s-1），被认为是实现新一代高性能红外探测器和高速集成电路中空穴组元的理想沟道新材料之一。采用传统的化学气相沉积法（CVD）合成GaSb纳米线会遇到纳米线横向生长的问题，导致其直径无法控制、晶体质量差、空穴迁移率小。 在这里，杨再兴教授主要汇报GaSb纳米线的合成以及优化合成条件，精确控制锑元素趋肤效应。在此基础上，通过轻掺杂可以有效改善晶体质量而降低库仑散射作用，有利于空穴迁移率的提高。在CVD合成纳米线的方法中，所使用的金属催化剂被证明可以微量的掺杂到纳米线晶格中，有效调控纳米线的能带结构和电学输运性质。最后，通过调整GaSb纳米线的金半接触进一步提高了器件的红外光电性能。
报告会结束后，杨再兴教授与我院教师以及学生就锑化物低维结构与光电器件研究方面的问题展开深入讨论与交流。
专家简介：
杨再兴，山东大学物理学院教授，博士生导师，校杰出青年，校青年交叉科学创新群体牵头人，山东省泰山学者（青年专家），国家重点研发计划首席科学家（青年）。长期致力于“锑化物低维结构与光电器件”的研究，迄今为止，发表高质量论文70余篇，包括Nature Communications，ACS Nano，Small，Nano Letters，Advanced Optical Materials，Nano Research等期刊。应邀撰写综述论文4篇，授权发明专利3项。
（物理学院 闫勇 张浩兴）