5月10日下午，应我院邀请，中国科学院半导体所邓惠雄研究员在物理南楼会议室为我院师生作了题为“后摩尔时代半导体缺陷与器件物理”的学术报告，我院相关师生参加了会议。
随着集成电路技术迈入后摩尔时代，晶体管特征尺寸逼近物理极限，半导体基础物理研究正成为突破技术瓶颈的核心驱动力。当前集成电路发展面临低维结构材料、新型半导体缺陷调控、器件可靠性等基础物理问题的制约。传统硅基技术逼近极限，亟需在材料、器件结构及物理原理层面实现创新突破。为应对这一挑战，邓惠雄研究员重点介绍了课题组在“先进制程中的低维半导体材料”、“宽禁带半导体掺杂机制”以及“热力学非平衡掺杂”几个方面的最新研究进展。
报告结束后，邓惠雄研究员回答了师生们提出的问题，并进行交流和讨论。
专家简介：
邓惠雄，博士，中国科学院半导体所研究员，国科大岗位教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金、优秀青年科学基金获得者，中国科学院青促会优秀会员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究，随后回到中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作至今。长期从事半导体物理、半导体缺陷与器件物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Nature、Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文110多篇。
（物理学院 张随财）