5月10日下午，应我院邀请，湖南大学物理与微电子科学学院邹旭明教授在物理南楼会议室为我院师生作了题为“二维半导体范德华间隙”的学术报告，我院相关师生参加了会议。
范德华间隙在调节材料特性、定制器件性能、探索纳米限域等领域扮演了重要角色。通过分子预吸附和范德华组装，实现了埃尺度范德华间隙的创造和精准控制。系列工作证明范德华间隙工程能为开发新原理器件提供独特途径，通过构建水间隙，MoS2/间隙/MoS2同质结能够表现出无滞回、理想因子为1的二极管特性，以及超敏感的压力传感特性；另外，通过构建氧间隙，有效抑制了栅极介质缺陷与半导体能级之间的耦合作用，实现了回滞电压低于10 mV，平均亚阈值摆幅晶体管低至60mV/dec的顶栅二维晶体管。
报告结束后，邹旭明教授回答了师生们提出的问题，并进行交流和讨论。
专家简介：
邹旭明，湖南大学教授，研究方向新型低维半导体表/界面质量优化及光电器件构筑。主要开展以下工作：与硅工艺兼容的器件表/界面工程；低维半导体与其他材料间的异质集成及构效关系。作为通讯作者在Nat. Nanotechnol.、Nat. Commun.、Natl. Sci. Rev.、Adv. Mater.等期刊发表SCI论文30余篇，主持国家自然科学基金优秀青年科学基金、面上基金、国际（地区）合作交流项目等，Frontiers of Physics、 Chinese Physics Letters、 Chinese Physics B、《物理学报》、《物理》青年编委。
（物理学院 朱恪嘉）