1月10日下午，应我院邀请，中国科学院半导体研究所吴江滨研究员在物理南楼会议室为我院师生作了题为“低维材料物性与新型电子器件”的学术报告，相关领域的师生参加了本次报告会。
随着摩尔定律逐渐趋近极限，以及冯·诺依曼架构面临“存储墙”“功耗墙”等瓶颈，现有计算能力已难以满足人工智能时代的快速发展需求。为此，探索新的计算范式，寻找适用于未来计算架构的新型器件与材料，成为当前研究的重要方向。传统半导体材料在性能上难以满足新一代器件的要求，这促使研究人员转向低维材料体系，寻求从物理机制、材料制备、器件设计到系统集成的全链条解决方案。报告中，吴江滨研究员首先介绍了利用超低波数与变温拉曼光谱技术研究二维材料界面层间耦合及其面内铁电性的相关工作。随后，他重点阐述了几类面向新型计算架构的高性能电子器件，包括：兼具硅工艺兼容性与高开关比的铁电隧道结、具备2048阻态的高密度阻变存储器，以及可实现动态可重构计算的界面电荷转移晶体管。这些研究工作结合低维材料的独特物理性质与前沿器件设计，为突破传统计算架构瓶颈提供了新思路，也为未来高性能电子器件的开发奠定了理论与实验基础。
报告结束后，吴江滨研究员与现场师生进行了互动交流，并围绕报告内容及相关研究方向展开了深入探讨。
专家简介：
吴江滨，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。2012年毕业于华中科技大学电子科学与技术系，2017年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2017-2023年在美国南加州大学任博士后，2023年加入中国科学院半导体研究所，入选国家青年海外高层次人才计划和中科院青年高层次人才计划。以（共同）一作和通讯作者在Nature, Nature Electronics (2篇), Nature Communications, Advanced Materials (2篇), ACS Nano(4篇), Nano Letters (2篇) 发表文章20篇，被引用超过1.1万余次， H-index为37（谷歌学术），申请美国专利一项。获得2018年中科院优秀博士论文和2016年中科院院长奖（优秀奖）等。现为《半导体学报》青年编委，并担任半导体芯片物理与技术全国重点实验室副主任。
（物理学院 张随财）