7月4日，应我校物理学院邀请，南京大学叶建东教授在物理南楼二楼217会议室作题为“氧化镓异质结构与异质集成器件”的学术报告。报告会由戴宪起教授主持，学院相关专业教师和研究生参加了此次报告。
报告中，叶建东教授首先介绍了氧化镓超宽禁带半导体的基本材料特性及其发展背景。氧化镓具有禁带宽度大、临界击穿场强高和饱和速度高等优异特性，是研制下一代大功率电子器件的重要战略性电子材料。近年来，随着单晶衬底制备和n型外延掺杂技术日益成熟，氧化镓功率电子器件发展迅速，部分器件性能指标已超越碳化硅的理论极限，展现出巨大的发展潜力。随后，叶建东教授重点介绍了南京大学团队在氧化镓超宽禁带半导体异质结构与异质集成器件方面的研究进展，围绕异质结构构筑、界面调控及异质集成器件等关键问题，深入阐述了利用异质结构与异质集成策略拓展氧化镓材料和器件性能的研究思路，并结合相关研究工作分析了超宽禁带半导体材料与器件发展面临的关键挑战。最后，叶建东教授对氧化镓及超宽禁带半导体领域未来的发展方向进行了展望。
报告结束后，与会师生围绕氧化镓材料特性、异质结构界面调控及器件应用等问题积极提问，叶建东教授结合自身科研工作和研究经验逐一细致解答，并与师生进行了深入交流。本次报告内容前沿、视野开阔，使师生进一步了解了氧化镓超宽禁带半导体及异质集成器件领域的研究进展，拓宽了学术视野和科研思路。
专家简介：
叶建东，南京大学教授、博士生导师。2002年和2006年于南京大学分别取得学士和博士学位。2006年至2015年分别在新加坡微电子研究所任Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学任QE II Fellow。2010年起任南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。近5年以通讯作者身份发表高水平论文80余篇，主编、参编专著4部，获授权发明专利14件。主持国家重点研发计划项目、国家自然科学基金杰出青年科学基金项目、重点项目和优秀青年科学基金项目，以及江苏省杰出青年基金、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等科研项目。作为第一完成人获江苏省科学技术奖二等奖，并获澳大利亚QE II研究奖等奖项。
（物理学院 戴宪起）