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学术活动

中国科学院微电子研究所吴振华研究员应邀为我院师生作线上讲学

发布时间: 2022-05-09 浏览次数:335


58日,应我院邀请,中国科学院微电子研究所吴振华研究员作题为“先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真方法及应用研究”线上学术报告,我院相关师生参加了会议。

吴老师首先系统阐述了先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真的背景和物理含义,并介绍了微电子所在先进工艺节点多栅器件FinFETNanowire FETTCAD仿真研发工作;之后详细介绍了近年来应用跨尺度物理模型,建立Physics-based材料-器件-单元电路联动TCAD仿真闭环,开展低功耗器件的path-finding探索研究进展。

报告会结束后,吴老师与我院教师以及学生就晶体管的多物理TCAD仿真问题展开深入讨论与交流。

报告人简介

吴振华, 中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。 2011年于中国科学院半导体研究所获得博士学位。2011-2016年任职于三星电子韩国半导体研发中心,参与研发14nm/10nm/7nm节点半导体逻辑芯片。2016年入选中国科学院海外人才引进项目加入微电子研究所。主要开展半导体器件机理,量子输运特性以及先进TCAD仿真计算方法的研究。已发表SCI论文100余篇,被引用2000余次。承担国家重点研发计划,国家自然科学基金,北京市科技委,中科院专项等多项研究项目。

(物理学院 安义鹏 张浩兴)