为进一步深化物理学科拔尖创新人才培养模式改革，优化“黄昆英才班”的建设路径，凝聚共识、汇聚合力，1月10日下午，物理学院在物理南楼成功举办“黄昆英才班”建设交流会。中国科学院半导体研究所研究员魏钟鸣、吴江滨，物理学院党委书记王宁、副院长张喜林、英才班班主任参加了交流会，会议由物理学院党委副书记刘宁主持。
王宁代表物理学院对魏钟鸣、吴江滨研究员的到来表示欢迎，介绍了“黄昆英才班”的建设情况。魏钟鸣对物理学院的热情接待表示感谢，充分肯定了物理学院在黄昆英才班建设过程中采取的培养举措和阶段性成果。在交流环节，双方围绕黄昆英才班的培养理念、课程体系、教学模式、科研实践与学生发展等问题进行了深入的研讨。
魏钟鸣以“唯实创新 追求卓越”为题为师生作报告。他系统回顾了中国科学院半导体研究所的发展历程与学科渊源，介绍了以我国著名物理学家、半导体物理奠基人黄昆先生命名的“黄昆英才班”建设情况，以及研究所依托中国科学院大学实施科教融合培养模式，开展拔尖创新人才培养的基本情况，并简要介绍了半导体研究所在物理、材料、器件、集成电路及人工智能等方向取得的研究成果。他指出，半导体研究具有高度交叉性，物理背景学生在相关研究方向中具备坚实基础与广阔发展空间，鼓励同学们在夯实理论功底的同时，主动了解国家需求与学科前沿，积极投身科技强国建设。最后，魏钟鸣和吴江滨结合自身科研与育人经验，就师生关心的拔尖创新人才培养路径、科研方向选择、夏令营参与方式及研究生阶段发展等问题与师生进行了交流互动。
此次建设交流会的成功举办，不仅为黄昆英才班的持续改进与发展注入了新的动力，也为我院进一步探索新时代拔尖创新人才培养规律提供了宝贵的实践经验。未来，学院将持续整合优质教学科研资源，完善拔尖创新人才培养体系，深化“黄昆英才班”建设，努力培养更多具有家国情怀、全球视野、扎实功底和创新能力的半导体人才。
（物理学院 张浩兴）
专家简介：
魏钟鸣，男，中国科学院半导体研究所研究员、博导，中国科学院大学岗位教授。2005年本科毕业于武汉大学，2010年7月于中国科学院化学研究所获理学博士学位。2010年8月至2013年8月，在丹麦哥本哈根大学从事博士后研究。2013年9月至2015年1月，在丹麦哥本哈根大学任助理教授。2015年2月回国，入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事新型低维半导体材料与器件的研究工作，以通讯或共同通讯作者在Science；Sci. Bull.；Nature Synthesis; Adv. Mater.; IEEE EDL/TED等期刊发表论文80多篇，入选“电子科学与技术学科”Elsevier 2020至2023年中国高被引学者。先后获得基金委优秀青年科学基金（2016）、国家杰出青年科学基金（2021）、国家重点研发计划（2024）等项目的资助。
吴江滨，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。2012年毕业于华中科技大学电子科学与技术系，2017年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2017-2023年在美国南加州大学任博士后，2023年加入中国科学院半导体研究所，入选国家青年海外高层次人才计划和中科院青年高层次人才计划。以（共同）一作和通讯作者在 Nature, Nature Electronics (2篇), Nature Communications, Advanced Materials (2篇), ACS Nano(4篇), Nano Letters (2篇) 发表文章20篇，被引用超过1.1万余次， H-index为37（谷歌学术），申请美国专利一项。获得2018年中科院优秀博士论文和2016年中科院院长奖（优秀奖）等。现为《半导体学报》青年编委，并担任半导体芯片物理与技术全国重点实验室副主任。