报 告 人：复旦大学 丁士进 教授
报告名称：氧化物半导体逻辑与存储器件
报告时间：2021年4月19日 10:00
报告地点：物理北楼三楼报告厅
报告人简介：
丁士进，二级研究员、复旦大学特聘教授、博士生导师。2001年6月获复旦大学博士学位，2001.10-2002.11在德国基尔大学从事洪堡学者研究，2003.2-2004.12在新加坡国立大学任研究员（Research Fellow），2005年加入复旦大学。作为项目负责人承担了02科技重大专项课题、863项目、国家自然科学基金项目、教育部科学技术研究重点项目等10余项。发表SCI论文260余篇；获授权中国发明专利40多项，获授权美国、欧盟发明专利3项。先后获得德国洪堡基金会研究奖学金（Research Fellowship）、上海市浦江人才、教育部新世纪优秀人才、复旦大学“世纪之星”称号。多次担任美国真空协会ALD国际会议委员会委员，国际ALD应用会议主席；受邀在美国、日本、韩国等的国际学术会议上做邀请报告10余次。目前的主要研究方向：（1）片上高密度MIM电容和超级微电容；（2）金属氧化物半导体场效应晶体管；（3）基于电荷存储的非易失性存储器；（4）集成电路后道互连技术。
