报 告 人：复旦大学 江安全 教授
报告名称：高密度铁电单晶存储器及其非易失性晶体管
报告时间：2021年4月19日 9:00
报告地点：物理北楼三楼报告厅
报告人简介：
江安全，复旦大学教授。1992年学士毕业于兰州大学，1999年博士毕业于中科院固体物理所，1999-2001年、2001－2006年分别在中科院物理所和剑桥大学从事博士后研究，2006年获聘为复旦大学微电子研究院研究员。发明了国际领先的高密度铁电单晶畴壁存储器及其选择管和晶体管，具有纳秒量级读写速度、3D NAND一样存储密度以及存算一体化功能，拥有自主知识产权；发明了新型电畴调制p-n结电流的新型高密度铁电存储技术、铁电和高k材料漏电通道堵塞的极端强电场下电流－电压测量技术、纳秒印刻效应和漏电薄膜电滞回线测量技术等，从电学测量中得出迄今为止铁电薄膜中电畴反转的极限时间为0.47ps。近年来在Nature Materials、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、Physical Review B、Applied Physics Letters等国际刊物发表论文100多篇，获得国内外授权发明专利30多项。担任EPL副编辑，IEEE 国际电子器件大会（IEDM）存储器分会委员，国际智能材料大会（CIMTEC）存储器分会顾问委员会委员，国际集成功能器件顾问委员会委员 (ISIF 2007－2009)等。获得了上海市高校特聘教授（东方学者）、教育部新世纪优秀人才、上海市浦江人才等研究计划；承担了国家02科技重大专项、国家重大基础研究计划课题、国家自然科学面上项目、上海市科委重大基础研究项目等。
