5月8日,应我校物理学院邀请,中国科学院微电子研究所吴振华研究员作题为“先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真方法及应用研究”线上学术报告,学院相关师生参加此次会议。吴振华系统阐述了先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真的背景和物理含义,并介绍了微电子所在先进工艺节点多栅器件FinFET、Nanowire FET的TCAD仿真研发工作情况;详细介绍了近年来应用跨尺度物理模型,建立Physics-based材料-器件-单元电路联动TCAD仿真闭环,开展低功耗器件的path-finding探索研究进展。报告会结束后,吴振华与学院教师以及学生就晶体管的多物理TCAD仿真问题展开深入讨论与交流。报告人简介:吴振华, 中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。 2011年于中国科学院半导体研究所获得博士学位。2011年-2016年任职于三星电子韩国半导体研发中心,参与研发14nm/10nm/7nm节点半导体逻辑芯片。2016年入选中国科学院海外人才引进项目加入微电子研究所。主要开展半导体器件机理,量子输运特性以及先进TCAD仿真计算方法的研究。已发表SCI论文100余篇,被引用2000余次。承担
2022-05-09